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J-GLOBAL ID:201702229200901395   整理番号:17A0014150

電磁研究のための可撓性材料として,数層のグラフェンに化学結合したP-フェニレンジアミン-ベンゾキノンシッフ塩基Ag(I)錯体

P-phenylenediamine-benzoquinone Schiff base Ag(I) complexes chemically bonded to few-layered graphene as flexible materials for electromagnetic studies
著者 (10件):
資料名:
巻: 51  号: 23  ページ: 10574-10584  発行年: 2016年12月 
JST資料番号: B0722A  ISSN: 0022-2461  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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新規な電磁材料を,数層のグラフェン(FLG)に化学的に結合したP-フェニレンジアミン-ベンゾキノン(PB)シッフ塩基Ag(I)錯体を介して合成した。試料の構造を,フーリエ変換赤外分光法およびX線回折によって特徴付けた。走査型電子顕微鏡および透過型電子顕微鏡によって形状および大きさを観察した。導電性を室温で4プローブ伝導度試験機を用いて試験し,試料の磁気特性を振動試料磁力計で試験した。これらの結果は,PBシッフ塩基Ag(I)錯体がFLG層上に化学的に結合していることを示した。複合材料の導電率,飽和磁化,残留磁化および保磁力は,それぞれ5.86Scm-1,1.47emug-1,0.26emug-1,および208.3Oeを達成した。最後に,実験結果に基づいて,可能性のある形成,電子伝達,および磁気メカニズムについても検討した。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
第11族,第12族元素の錯体  ,  高分子固体の物理的性質 

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