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J-GLOBAL ID：201702229219493257   整理番号：17A0699452

ポテンシャルX線放射線センサとしての化学的に堆積したZnS薄膜【Powered by NICT】

Chemically deposited ZnS thin film as potential X-ray radiation sensor

著者 (3件)： Sarma M.P. (Department of Physics, Cotton College, Guwahati 781001, India) ,  Kalita J.M. (Department of Physics, Cotton College, Guwahati 781001, India) ,  Wary G. (Department of Physics, Cotton College, Guwahati 781001, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 61  ページ： 131-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では化学浴堆積法により作製したZnS薄膜のX線放射線感受性が報告されている。膜は0.10,0.15と0.20モル濃度(M)で調製した。特性化の報告は0.20M膜は他の低モル濃度膜よりも最良の品質を持つことを示した。膜のI-V特性は,暗条件下で,0.20Mで作製した膜は他の低いモル濃度膜よりも約10倍大きい2.06×10~ 6(Ωcm)~ 1の電気伝導率を持つことを観察検討した。さらに,この膜のI-V特性はUVとX線放射下で研究してきた。X線照射下での電流は,UV照射下でのそれより有意に高いことが分かった。1.0Vの固定バイアス電圧では,UV照射下での伝導率は3.26×10~ 6(Ωcm)~ 1であることが判明したX線下のそれは4.13×10~ 5(Ωcm)~ 1であった。X線照射下での感度はUV照射下でより有意に大きかった。この分析は,UV放射線センサとして使用されているZnS薄膜は,潜在的X線放射センサとして使用できることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流電圧特性 ,  *硫化亜鉛 ,  紫外線照射 ,  放射線感受性 ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  キャラクタリゼーション ,  *センサ ,  X線照射 ,  電流 ,  *X線 ,  紫外線
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  化学浴析出 ,  *X線放射 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 半導体 ,  薄膜 ,  放射 ,  X線 ,  UV ,  センサ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ポテンシャル ,  X線放射 ,  化学 ,  堆積 ,  ZnS ,  薄膜