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J-GLOBAL ID：201702229239559425   整理番号：17A0158779

パルス有機金属化学気相成長法によるサファイア基板上のInAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの作製【Powered by NICT】

Fabrication of InAlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphire Substrates by Pulsed Metal Organic Chemical Vapor Deposition

著者 (6件)： Quan Rudai (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Jincheng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Yachao (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Weihang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ren Zeyang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 10  ページ： 108104_01-108104_04  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほぼ格子整合InAlGaN/GaNヘテロ構造パルス有機金属化学蒸着によりサファイア基板上に成長させ,このヘテロ構造上に作製した優れた高電子移動度トランジスタ。20nm InAlGaN四元障壁のInAlGaN/GaNヘテロ構造の1.43×10(13)cm( 2)の高い二次元電子ガス密度と共に電子移動度は1668.08cm 2/V秒であった。1×50μm 2μmと4μmのソース-ドレイン距離のゲート寸法の高電子移動度トランジスタは,最大ドレイン電流763.91mA/mm,163.13mS/mmの最大外因性相互コンダクタンス,および11GHzと21GHzの電流利得と最大振動遮断周波数を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 遮断周波数 ,  格子整合 ,  *MOCVD ,  相互コンダクタンス ,  二次元電子ガス ,  *HEMT ,  *パルス
準シソーラス用語： 電流利得 ,  ドレイン電流 ,  *電子移動度 ,  ヘテロ構造 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  有機金属化学気相成長法 ,  サファイア基板 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  作製