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J-GLOBAL ID：201702230093417807   整理番号：17A0852403

a-InGaZnO薄膜トランジスタの不動態化層におけるH_2O分子の役割【Powered by NICT】

Role of H₂O Molecules in Passivation Layer of a-InGaZnO Thin Film Transistors

著者 (13件)： Chien Yu-Chieh (Department of Materials and Optoelectronic, Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chang Ting-Chang (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chiang Hsiao-Cheng (Department of Materials and Optoelectronic, Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chen Hua-Mao (Department of Photonics, Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Tsao Yu-Ching (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Shih Chih-Cheng (Department of Materials and Optoelectronic, Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chen Bo-Wei (Department of Photonics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Liao Po-Yung (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chu Ting-Yang (Department of Materials and Optoelectronic, Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Yang Yi-Chieh (Department of Materials and Optoelectronic, Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Hung Yu-Ju (Department of Photonics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Tsai Tsung-Ming (Department of Materials and Optoelectronic, Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chang Kuan-Chang (School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 469-472  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不動態化層におけるH_2O分子と湿潤環境における反転スタガード型非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物デバイスの性能と信頼性を解析した。飽和領域(V_D=10V)における負の閾値電圧シフト(vartriangle V_th),チャネル長の減少とともに増加させた。これはH_2O分子に起因することをドレイン誘起障壁低下により説明されることを提案した。,バイアスストレス下での水素結合モデルも提案し,従来H_2Oドーピングモデルと対照的である。バイアスストレスと交流運転後の回復挙動を利用して,これらのモデル間の差を識別した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非晶質 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化亜鉛 ,  水素結合 ,  *不動態化 ,  信頼性 ,  交流 ,  湿潤 ,  *改変
準シソーラス用語： チャネル長 ,  閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トランジスタ ,  不動態化 ,  分子 ,  役割