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J-GLOBAL ID：201702230130498293   整理番号：17A0749443

高電子移動度で空気中で安定な2D層状PtSe_2FET【Powered by NICT】

High-Electron-Mobility and Air-Stable 2D Layered PtSe₂ FETs

著者 (17件)： Zhao Yuda (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, P. R. China) ,  Zhao Yuda (The Hong Kong Polytechnic University Shenzhen Research Institute, Shenzhen, 518057, P. R. China) ,  Qiao Jingsi (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, P. R. China) ,  Qiao Jingsi (Department of Physics, Renmin University of China, Beijing, 100872, P. R. China) ,  Qiao Jingsi (Beijing Key Laboratory of Optoelectronic Functional Materials and Micro-nano Devices, Renmin University of China, Beijing, 100872, P. R. China) ,  Yu Zhihao (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, and, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Yu Peng (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 639798, Singapore) ,  Xu Kang (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, P. R. China) ,  Lau Shu Ping (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, P. R. China) ,  Lau Shu Ping (The Hong Kong Polytechnic University Shenzhen Research Institute, Shenzhen, 518057, P. R. China) ,  Zhou Wu (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Liu Zheng (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 639798, Singapore) ,  Wang Xinran (National Laboratory of Solid State Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, and, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Ji Wei (Department of Physics, Renmin University of China, Beijing, 100872, P. R. China) ,  Ji Wei (Beijing Key Laboratory of Optoelectronic Functional Materials and Micro-nano Devices, Renmin University of China, Beijing, 100872, P. R. China) ,  Chai Yang (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong, P. R. China) ,  Chai Yang (The Hong Kong Polytechnic University Shenzhen Research Institute, Shenzhen, 518057, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 5  ページ： ROMBUNNO.201604230  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算と組合せて,電気的および光学的測定は,2D層状PtSe_2の明確な層依存半導体から半金属への変化を示した。,はるかに優れた空気安定性と共に,高い室温電子移動度と近赤外光応答はPtSe_2汎用電子2D層状材料にする。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  半金属 ,  近赤外線 ,  光学的測定 ,  *積層材料
準シソーラス用語： 密度汎関数計算 ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2次元層状材料 ,  電子構造 ,  mobility ,  PtSe2 ,  遷移金属二カルコゲン化物

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子移動度 ,  空気中 ,  2D ,  層状