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J-GLOBAL ID：201702230230372032   整理番号：17A0765144

固相反応によるSi(111)基板上に形成したMg_2Siエピタキシャル膜の熱安定性【Powered by NICT】

Thermal stability of Mg_2Si epitaxial film formed on Si(111)substrate by solid phase reaction

著者 (11件)： Wang Xi-Na (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Yong (School of Engineering and Centre for Microscopy and Microanalysis,The University of Queensland) ,  Zou Jin (School of Engineering and Centre for Microscopy and Microanalysis,The University of Queensland) ,  Zhang Tian-Chong (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Mei Zeng-xia (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Guo Yang (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Xue Qi-Kun (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Du Xiao-Long (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Xiao-Na (Beijing University of Technology) ,  Han Xiao-Dong (Beijing University of Technology) ,  Zhang Ze (Beijing University of Technology)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 7  ページ： 3079-3083  発行年： 2009年07月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶Mg_2Si膜は分子ビームエピタクシー(MBE)システムにおける100°Cまでは室温からポストアニーリングにより増強された固相反応(SPR)酸化物層(s)でキャップしたMg被覆層をもつSi(111)基板のによって形成された。Mg_2Si膜の熱安定性を300°C,450°Cと650°Cで酸素ラジカル雰囲気中でポストアニーリングにより系統的に調べ,であった。アニーリング温度が450°Cに達するまでMg_2Si膜は安定,Mg_2Siの分解と解離したMgの酸化に起因する非晶質MgO_xに変換した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単結晶 ,  *マグネシウム ,  *固相反応 ,  非晶質 ,  MBE成長 ,  被覆層 ,  酸化マグネシウム ,  *熱安定性
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  酸素ラジカル ,  酸化物層 ,  ポストアニーリング ,  *エピタキシャル膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Mg_2Si ,  固相反応 ,  熱stabihty

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 固相反応 ,  Si ,  エピタキシャル膜 ,  熱安定性