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J-GLOBAL ID：201702230273379955   整理番号：17A0055476

ダイヤモンド蒸着過程中のAlGaN/GaNヘテロ構造上のSchottky接触メタライゼーション安定性【Powered by NICT】

Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process

著者 (7件)： Babchenko O. (Institute of Electrical Engineering SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Vanko G. (Institute of Electrical Engineering SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Dzuba J. (Institute of Electrical Engineering SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Izak T. (Institute of Physics of the AS CR, Cukrovarni ́cka 10/112, 162 00 Prague, Czech Republic) ,  Vojs M. (Institute of Electronics and Photonics STU, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Lalinsky T. (Institute of Electrical Engineering SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia) ,  Kromka A. (Institute of Physics of the AS CR, Cukrovarni ́cka 10/112, 162 00 Prague, Czech Republic)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 157-160  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド堆積過程中のAlGaN/GaNヘテロ構造に及ぼすゲートメタライゼーション安定性の問題を研究した。試験したNi,Ir,NiOとIrO_2材料の中でイリジウムを使用する最も有望な特性を持っている。IrとIrO_2Schottky接触メタライゼーションによるトランジスタの集束マイクロ波プラズマシステムにおけるダイヤモンド成長を実証し,議論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *メタライゼーション ,  トランジスタ ,  集束 ,  複合材料 ,  イリジウム ,  *ダイヤモンド
準シソーラス用語： マイクロ波プラズマ ,  *Schottky接触 ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ダイヤモンド ,  蒸着過程 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  Schottky接触 ,  メタライゼーション ,  安定性