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J-GLOBAL ID：201702230696002257   整理番号：17A0751458

誘電技術を用いた多層の黒リン電界効果トランジスタにおける高電界キャリア輸送と電力消費【Powered by NICT】

High Electric Field Carrier Transport and Power Dissipation in Multilayer Black Phosphorus Field Effect Transistor with Dielectric Engineering

著者 (12件)： Ahmed Faisal (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangangu, Suwon, Gyeonggi-do, 440-746, South Korea) ,  Ahmed Faisal (School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangangu, Suwon, Gyeonggi-do, 440-746, South Korea) ,  Kim Young Duck (Department of Mechanical Engineering, Columbia University, 500 W. 120th St., New York, NY, 10027, USA) ,  Choi Min Sup (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangangu, Suwon, Gyeonggi-do, 440-746, South Korea) ,  Liu Xiaochi (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangangu, Suwon, Gyeonggi-do, 440-746, South Korea) ,  Qu Deshun (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangangu, Suwon, Gyeonggi-do, 440-746, South Korea) ,  Yang Zheng (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangangu, Suwon, Gyeonggi-do, 440-746, South Korea) ,  Hu Jiayang (Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University, 500 W. 120th St., New York, NY, 10027, USA) ,  Herman Irving P. (Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University, 500 W. 120th St., New York, NY, 10027, USA) ,  Hone James (Department of Mechanical Engineering, Columbia University, 500 W. 120th St., New York, NY, 10027, USA) ,  Yoo Won Jong (Department of Nano Science and Technology, SKKU Advanced Institute of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangangu, Suwon, Gyeonggi-do, 440-746, South Korea) ,  Yoo Won Jong (School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangangu, Suwon, Gyeonggi-do, 440-746, South Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201604025  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電工学による自己加熱と熱拡散を持つ多層黒りん(BP)電界効果トランジスタにおける高電界輸送を検討した。興味深いことに,SiO_2基板上の多層BPデバイスは5.58MV m~ 1,多層MoS_2よりも数倍高い電場で3.3×10~10Am~ 2の最大電流密度を示した。破壊温度測定分析は,自己加熱は,BP誘電体界面に沿って,チャネルと最終的なJoule絶縁破壊内部の熱プラトーをもたらすことを明らかにした。サイズ依存性電気-熱輸送モデルを用いて,1 10MW m~ 2K~ 1の界面熱コンダクタンスはBP誘電体界面のために抽出した。熱抵抗SiO_2(κ ≒ 1.4 W m~ 1 K~ 1)の代わりにBPのための誘電体材料としての六方晶窒化ホウ素(hBN)を用いて,hBNは,BPの優れた構造的および熱的適合性を持っているので破壊パワー密度と比較的高い電場耐久性の3倍の増加は,効率的で均一な熱拡散と共に得られた。さらに顕微Raman分光法と原子間力顕微鏡に基づく結果を確認し,hBNにBPデバイスは600Kの分解温度を持つ中心局在ホットスポットを示すことを観察した。一方,SiO_2BPデバイスは520Kでの電極の近傍におけるホットスポットを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度測定 ,  絶縁破壊 ,  熱拡散 ,  *多層 ,  原子間力顕微鏡 ,  熱抵抗 ,  誘電体 ,  電場 ,  界面 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ホットスポット ,  チャネル
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  *キャリア輸送 ,  *高電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 黒りん ,  六方晶窒化ホウ素 ,  顕微Raman ,  電力散逸

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多層 ,  黒リン ,  電界効果トランジスタ ,  高電界 ,  キャリア輸送 ,  電力消費