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J-GLOBAL ID：201702230711696371   整理番号：17A0407594

改良された熱安定性と高速相変化メモリ応用のためのOドープSb材料【Powered by NICT】

O-doped Sb materials for improved thermal stability and high-speed phase change memory application

著者 (6件)： Hu Yifeng (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  Zhu Xiaoqin (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  Zou Hua (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  Zheng Long (School of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Technology, Changzhou 213001, China) ,  Song Sannian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Song Zhitang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 696  ページ： 150-154  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープSb材料は,より高い結晶化温度(~205 °C),より大きな結晶化活性化エネルギー(3.95 eV)とより良好なデータ保持能力(10年間の143°C)を有することを証明した。バンドギャップはO-ドーピングによる広がったと粒径を微細化した。Sb酸化物の形成は結合エネルギーを増加させた。高速相変化速度はピコ秒レーザ技術によるOドープSb材料で得られた。O-ドーピング後,相変化膜は,より小さな表面粗さ(1.05 nm)を有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化アンチモン ,  晶出温度 ,  バンドギャップ ,  結合エネルギー ,  結晶化 ,  粒径 ,  *ドーピング ,  *相転移 ,  活性化エネルギー ,  *熱安定性 ,  精密化 ,  *アンチモン ,  *高速度
準シソーラス用語： ピコ秒レーザ ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Sb材料 ,  酸素ドーピング ,  熱安定性 ,  高速

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱安定性 ,  相変化メモリ ,  応用 ,  ドープ ,  Sb