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J-GLOBAL ID:201702230842941527   整理番号:17A0766344

GaNを基本とするバルク材料と量子井戸を用いたソーラブラインドと中赤外2色光検出器の最適化【Powered by NICT】

Optimization of a solar-blind and middle infrared two-colour photodetector using GaN-based bulk material and quantum wells
著者 (4件):
資料名:
巻: 18  号: 12  ページ: 5366-5369  発行年: 2009年12月 
JST資料番号: W1539A  ISSN: 1674-1056  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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Al_xGa(1 x)Nバルク材料のAlモル分率の関数としてのバンド間遷移の波長を計算した。Alモル分率が0.456と0.639の間にある場合に,波長はソーラブラインド(250nm~280nm)に対応することを明らかにした。サブバンド間遷移の波長と吸収係数に及ぼすAl_yGa(1 y)N/GaN量子井戸の構造パラメータの影響をSchr(O)dinger方程式とPoisson方程式を自己無撞着的に解くことにより調べた。Al_yGa(1 y),N障壁のAlモル分率が0.30から0.46に変化し,一方井戸の幅は2.9nmから2.2nmに変化し,大気の窓(3 μm<λ<5μm)における最大サブバンド間吸収。基底状態と第一励起状態間のサブバンド間遷移の吸収係数は波長の増加と共に減少した。結果を最終的にソーラブラインドと中赤外二色光検出器のためのGaN系バルク材料と量子井戸の展望を議論するために使用する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  半導体結晶の電子構造 

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