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J-GLOBAL ID：201702230977994823   整理番号：17A0027178

In_0.7Ga_0.3As QW MOSFETの新しい統一移動度抽出法

A New Unified Mobility Extraction Technique of In_0.7Ga_0.3As QW MOSFETs

著者 (7件)： Park Jung Ho (Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kim Do-Kywn (Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Son Seung-Woo (Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Shin Seung Heon (The University of Texas at Austin, Austin, TX, USA) ,  Kim Tae-Woo (Samsung, Austin, TX, USA) ,  Lee Jung-Hee (Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kim Dae-Hyun (Kyungpook National University, Daegu, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 9  ページ： 1096-1099  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)における実効移動度(μ_eff)を抽出する従来の方法は,デバイスの寄生成分を無視する傾向がある。これは,抽出した実効移動度の値に大きな誤差を引き起こす可能性がある。本論文では,寄生直列抵抗(R_SD)と寄生ゲート容量(C_{g_par})成分の各部分を正確に捕捉する統一した手順を提案した。次に,ゲートラスト表面チャネルIn_0.7Ga_0.3As量子井戸MOSFETにおける実効移動度の抽出値に対する寄生成分の影響を調べた。この方法を用いて抽出した実効移動度が10~4μmのゲート長(L_g)と独立であることを見出し,それはこの提案した方法の正確さを証明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子井戸 ,  *MOSFET ,  *移動度 ,  *抽出 ,  漂遊容量 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *InGaAs ,  寄生容量 ,  *抽出法 ,  直列抵抗

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET ,  移動度 ,  抽出法