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J-GLOBAL ID：201702231036778686   整理番号：17A0738599

有機金属化学気相成長法を用いてm内サファイア上に成長させた低欠陥の半極性(11-22)InGaNに基づく発光ダイオード

Semipolar (11-22) InGaN-Based Light-Emitting Diodes with Low Defects Grown on m-Plane Sapphire Using Metalorganic Chemical Vapor Epitaxy

著者 (7件)： JANG Jongjin (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  LEE Kyuseung (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  MIN Daehong (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  KIM Jaehwan (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  CHAE Sooryong (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  LEE Gyungbae (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  NAM Okhyun (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 10  ページ： 10881-10886  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相成長法(MOCVD)を用いて半極性(11-22)InGaN発光ダイオード(LED)を成長させた。LEDは三種類のテンプレート上に成長させた:m面サファイア(試料A),SiO₂ストライプマスク(試料B),SiN_x中間層とSiO₂ストライプマスク(試料C)。TEMで測定した試料A,B,Cの面積層欠陥密度はそれぞれ2.9×10⁵,4.6×10⁴,2.8×10⁴cm^-1であった。単色陰極線ルミネセンス(CL)の試料BとCの明/暗領域の最大強度比はそれぞれ1:18及び1:6であった。試料BとCのエレクトロルミネセンス(EL)強度は試料Aのそれぞれ約4倍と6倍であった。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *発光ダイオード ,  MOCVD ,  薄膜成長 ,  *半導体薄膜 ,  二酸化ケイ素 ,  基板 ,  *積層欠陥 ,  極性 ,  窒化ケイ素
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  半極性

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学気相成長法 ,  サファイア ,  成長 ,  欠陥 ,  半極性 ,  InGaN ,  発光ダイオード