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J-GLOBAL ID：201702231277035620   整理番号：17A0138077

シリコン基板上に成長した無欠陥,自己触媒GaAs/GaAsPナノワイヤ量子ドット

Defect-Free Self-Catalyzed GaAs/GaAsP Nanowire Quantum Dots Grown on Silicon Substrate

著者 (14件)： WU Jiang (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  RAMSAY Andrew (Hitachi Europe Ltd., Cambridge, GBR) ,  SANCHEZ Ana (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  ZHANG Yunyan (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  KIM Dongyoung (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  BROSSARD Frederic (Hitachi Europe Ltd., Cambridge, GBR) ,  HU Xian (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  BENAMARA Mourad (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  WARE Morgan E. (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  MAZUR Yuriy I. (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  SALAMO Gregory J. (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  AAGESEN Martin (Gasp Solar ApS, Taastrup, DNK) ,  WANG Zhiming (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu, CHN) ,  LIU Huiyun (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 16  号： 1  ページ： 504-511  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一次元とゼロ次元材料の両方を含むIII-Vナノワイヤ量子ドット(NWQD)のシリコン基板上へのモノリシック成長において,ボトムアップ法,即ち,VLS法によるIII-V NWQDの成長には,外部金属触媒を用いた場合には金属による汚染に,自己触媒を用いた時は導入される種々の界面欠陥に起因する品質の問題がある。ここでは,MBEを用いた自己触媒VLS法によりGaAs量子ドットをGaAsPナノワイヤに含むIII-V NWQDをSi(111)基板上にモノリシックに作製し,環状暗視野TEM及びEDXにより評価して純粋な閃亜鉛鉱型,無欠陥のNWQDの成長を確かめ,さらに高分解能ホトルミネセンススペクトロスコピーにより励起子発光の極めて狭い線幅を観測した。これらの結果は量子情報とフォトニック素子のためのシリコンプラットホーム上へのオンチップIII-V NWQD作製に有望であろう。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *量子ドット ,  *ガリウム化合物 ,  *リン化物 ,  *ヒ化ガリウム ,  *結晶成長 ,  MBE成長 ,  VLS成長 ,  触媒 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *インテグリティ ,  光ルミネセンス ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： EDX分析 ,  TEM【顕微鏡】 ,  *ヒ化リン化ガリウム ,  自己触媒 ,  *無欠陥性

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン基板 ,  成長 ,  欠陥 ,  自己触媒 ,  GaAs ,  GaAsP ,  ナノワイヤ ,  量子ドット