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J-GLOBAL ID：201702231502280455   整理番号：17A0855701

Cuイオン注入の影響とポストアニーリング超ナノ結晶ダイヤモンドにおける表面形態と電界放出【Powered by NICT】

The effect of Cu ion implantation and post-annealing on surface morphology and electron field emission in ultrananocrystalline diamond

著者 (10件)： Shen Yanyan (Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, PR China) ,  Zhang Yixin (Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, PR China) ,  Zhang Chao (Material & Industrial Technology Research Institute, Beijing, PR China) ,  Hei Hongjun (Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, PR China) ,  Qi Ting (Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, PR China) ,  Yu Sheng Wang (Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, PR China) ,  He Zhiyong (Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, PR China) ,  Jia Yuxin (Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, PR China) ,  Ma Genwang (Research Institute of Surface Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan, PR China) ,  Dong Lijuan (Shanxi Provincial Key Laboratory of Electromagnetic Functional Materials for Microstructure, Shanxi Datong University, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 709  ページ： 8-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面形態を修正することに500°Cで100keVのCuイオン注入とそれに続くアニーリング(すなわち共通アニーリングあるいは急速焼なまし)の影響と超ナノ結晶性ダイヤモンド(UNCD)膜の電界放出(EFE)特性を調べた。共通アニーリングは電気とEFE特性の両方の中程度の増強を提供する。に加えて,急速焼なましは,UNCD膜の346.5cm~2V~ 1S~ 1の高い移動度を持つ10.3Ω/sqの低い表面抵抗率をもたらした。対応するEFE挙動はE_0=5.3Vで,8.1Vの印加電場における電流密度426.7μA/cm~2を達成することができた。板状粒子でメッシュ状表面構造,サイズが約20 30nm,試料表面,融解及び再結晶過程は急速アニーリングにより起こったことを意味しているに分布していた。RamanとX線光電子顕微鏡法の結果は,UNCD膜中のCuナノ粒子の形成は触媒的に急速焼なましプロセス中の豊富なナノ黒鉛相の形成を引き起こし,電子輸送のための伝導チャネルを形成したことを示した。最後に,UNCD膜の導電性とEFE特性は著しく改善された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： グラファイト ,  電流密度 ,  RTA【熱処理】 ,  表面構造 ,  *ダイヤモンド ,  *銅 ,  電場 ,  *電界放出 ,  再結晶 ,  *イオン注入 ,  *焼なまし ,  導電性 ,  高速度
準シソーラス用語： *超ナノ結晶 ,  *表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cuイオン注入 ,  ポストアニーリング効果 ,  超ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  電子電界放出特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cuイオン ,  注入 ,  ポストアニーリング ,  ナノ結晶ダイヤモンド ,  表面形態 ,  電界放出