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J-GLOBAL ID:201702231519083262   整理番号:17A0830700

液相堆積により成長させたすず一硫化(SnS)薄膜【Powered by NICT】

Tin monosulfide (SnS) thin films grown by liquid-phase deposition
著者 (8件):
資料名:
巻: 145  ページ: 33-41  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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すずモノスルフィド(SnS)は地球に豊富な半導体材料であり,太陽電池の吸収体としての可能性を示した。しかし,Sn-S(SnS_2,Sn_2S_3とSn_3S_4)の他の二元相は空気中より好ましいので,純SnS相を得ることは困難である。本報告では,溶液と液体前駆体を用いて,種々の反応温度での直接溶液被覆法とその後のアニーリングを用いたMo被覆ソーダ石灰ガラス上に純SnS薄膜を作製した。直接溶液被覆は,大規模製造のための容易で迅速なプロセスである。,薄膜化学量論の正確な制御を可能にした。作製したSnS薄膜の相と形態をXRD,XPS,RamanおよびSEMによって確認された。溶液前駆体を用いて調製した膜は,SnSと共に付加的な相を示した。しかし,液体前駆体を用いて調製した膜の場合にはわずかにSnS斜方晶構造が観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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