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J-GLOBAL ID:201702232199525659   整理番号:17A0124428

太陽電池または光検出器のためのIII-V量子ドット構造におけるキャリア輸送【Powered by NICT】

Carrier transport in III-V quantum-dot structures for solar cells or photodetectors
著者 (12件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 097307-1-097307-6  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1539A  ISSN: 1674-1056  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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十分に確立された光から電気への変換理論によれば,量子ドットにおける共鳴励起されたキャリアは基底状態に緩和すると量子ドット光電流,外部バイアスでのp-n接合のない量子ドットで観測されているを形成するから脱出できない。,短絡p-n接合中に埋め込まれたInAs量子ドットからの共鳴的に励起された光キャリアの88%以上を観測した光電流を形成した。現象は熱電子放出,トンネリング過程,および中間バンド理論では説明できない。光キャリアが量子ドットから直接脱出光電流を生成するよりもむしろp-n接合により誘起された量子ドットの基底状態へ緩和することが示唆された新しい機構。発見は,太陽電池とフォトダイオード検出器における低次元半導体物理と応用の理解に重要である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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太陽電池 
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