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J-GLOBAL ID：201702232315724123   整理番号：17A0856362

照射とその除去の方法下での多孔質シリコンの光ルミネセンス劣化の起源【Powered by NICT】

Origins of photoluminescence degradation in porous silicon under irradiation and the way of its elimination

著者 (4件)： Lenshin A.S. (Voronezh State University, Russia) ,  Seredin P.V. (Voronezh State University, Russia) ,  Kashkarov V.M. (Voronezh State University, Russia) ,  Minakov D.A. (Voronezh State University, Russia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 64  ページ： 71-76  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤外(IR)および光ルミネセンス(PL)分光法を用いた異なる形態を有する多孔質シリコンの組成と光ルミネセンス特性の違いの比較研究を行った。得られた実験データ及び従来の理論的モデルに基づいて主要な因子は多孔質シリコンのPLの強度と可視範囲における指向性照射の影響下でのその分解に負の影響を及ぼすことが分かった。サイズ50~100nmの細孔を有する例として多孔質シリコンでは,ポリアクリル酸の化学処理によるこれらの特性の改善の可能性を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポリアクリル酸 ,  ナノ構造 ,  *多孔質シリコン ,  指向性 ,  *光ルミネセンス ,  細孔 ,  *多孔性 ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： 化学処理 ,  理論モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 多孔質シリコン ,  分解の速度論 ,  多孔質ナノ構造 ,  IR分光法

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多孔質シリコン ,  光ルミネセンス ,  起源