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J-GLOBAL ID:201702232380780191   整理番号:17A0172957

マグネトロンスパッタリングに基づくLOVE波デバイスZNOZNOの調製に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Research on ZnO Waveguide Layer Preparation of Love Wave Device Based on Magnetron Sputtering
著者 (6件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 783-786  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2465A  ISSN: 1004-2474  CODEN: YASHE7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ZNOをターゲットとして,高周波マグネトロンスパッタリング技術を用いて,指(IDT)を有するLINBO_3基板上に,ZNO導波路を有するLOVEを調製した。スパッタリング過程において,スパッタリング圧力は4.0×10(-4)PA,スパッタリング圧力は5.4PA,スパッタリング時間は400分,スパッタリング温度は150°Cであった。X線回折計を用いて,ZNO導波路の配向と微細構造を解析し,ZNOを導波路とするLOVEの応答特性をネットワークアナライザを用いて解析した。試験結果により,調製したZNO導波路は,(002)優先配向を持ち,そして,平均粒径は,50.99NMであり,そして,内部応力は,より小さかった。その結果,導波路の中心周波数は101.764MHZであり,挿入損は-21.2DBであり,良好な応答特性を持つことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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フィルタ一般  ,  酸化物薄膜  ,  弾性表面波デバイス  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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