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J-GLOBAL ID：201702232408860658   整理番号：17A0173952

電着法による銅薄膜太陽電池の吸収層の研究進展を紹介した。【JST・京大機械翻訳】

Research Progress on Absorber Layers of Cu_2ZnSnS_4 (CZTS)Thin Film Solar Cell Prepared by Electrodeposition

著者 (4件)： Han Gui (College of Chemistry &Chemical Engineering,Yangzhou University) ,  Lu Jinhua (College of Chemistry &Chemical Engineering,Yangzhou University) ,  Wang Min (College of Chemistry &Chemical Engineering,Yangzhou University) ,  Li Danyang (College of Chemistry &Chemical Engineering,Yangzhou University)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 30  号： 6A  ページ： 50-56  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 直接禁止バンドギャップ半導体(銅XinXi硫)四元硫化物は,近年の研究で多くのケステライト構造を有する化合物半導体であり,その光吸収係数が高いため,バンドギャップ量では,太陽電池の理想的な候補材料であり,薄膜太陽電池で急速に成長している。今まで報告されている最高変換効率はその理論変換効率にもかなりの差があるため、CZTS(SE)四元硫黄(セレン)化合物半導体を研究することは依然として現在の研究の焦点の一つである。本論文では,CZTS薄膜太陽電池の構造を簡単に紹介し,3種類のCZTS薄膜の電着法を詳細に紹介した。本論文では,CU-ZN-SN金属層を連続的に堆積させ,CU-ZN-SN層を連続的に堆積させ,CU-ZN-SN/CU(SE)薄膜を調製するための電気化学的技術と対応するデバイスを研究した。対応する方法の問題点を指摘した。また、3種類の電着方法を分析し比較し、最適化方法を提案し、今後の発展傾向を展望した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *銅 ,  半導体 ,  *太陽電池 ,  *薄膜 ,  高速度 ,  化合物半導体 ,  *電着 ,  バンドギャップ ,  最適化手法
準シソーラス用語： 電気化学的技術 ,  CZTS ,  変換効率 ,  吸光係数 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu_2ZnSnS_4 ,  solar cells ,  efficiencies ,  electrodeposition

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電着 ,  銅 ,  薄膜太陽電池 ,  吸収層 ,  研究 ,  進展