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J-GLOBAL ID：201702232494695676   整理番号：17A0755423

高速低動的R_on E/Dモードのための新しい非対称傾斜フィールドプレート技術GaNH EMT【Powered by NICT】

Novel Asymmetric Slant Field Plate Technology for High-Speed Low-Dynamic R_on E/D-mode GaN HEMTs

著者 (17件)： Wong Joel (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Shinohara Keisuke (Teledyne Scientific, Thousand Oaks, CA, USA) ,  Corrion Andrea L. (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Brown David F. (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Carlos Zenon (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Williams Adam (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Tang Yan (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Robinson John F. (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Khalaf Isaac (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Fung Helen (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Schmitz Adele (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Oh Thomas (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Kim Samuel (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Chen Steven (TSMC, Hsinchu, Taiwan) ,  Burnham Shawn (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA) ,  Margomenos Alex (Infineon Technologies, Milpitas, CA, USA) ,  Micovic Miroslav (HRL Laboratories, LLC, Malibu, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 95-98  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らは,低損失,高速パワースイッチ応用のためのスケールGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)上の電気場の分布を適切に設計された傾斜フィールドプレート(FP)を利用した新規不斉フィールドプレート構造を考察した。傾斜FPで達成された均一な電場分布を最適なデバイス設計を可能にし,低い動的オン抵抗(R_on,dyn)と高い絶縁破壊電圧はゲート-ドレイン距離を最小化することにより同時に得られる。最適化FP設計は低R_on,138Vの降伏電圧(146 V)とEモード(D-モード)HEMTにおける50Vのドレイン電圧で2.3(2.1)Ωmmのdynを示した。ピークf_T/f_max=41/100GHz(53/100 GHz)のEモード(Dモード)H EMTの高周波性能は31.0~34.5(28.0-33.3)mΩ-nCの範囲で優れたR_on,dyn×Q_g生成物を生じた。n+GaN Ohm接触を用いて,この新しい傾斜FP技術スケールエピタキシャル構造(短いL_g)と減少したアクセス抵抗と組み合わせて,高速,低損失,GaNパワースイッチデバイスの性能と設計の柔軟性を大きく向上させた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オン抵抗 ,  HF【周波数】 ,  電場 ,  *高速度 ,  *非対称性 ,  最適化 ,  *窒化ガリウム ,  柔軟性 ,  HEMT
準シソーラス用語： ドレイン電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  デバイス設計 ,  電界分布 ,  パワースイッチ ,  *フィールドプレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 非対称 ,  フィールドプレート ,  EMT