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J-GLOBAL ID:201702232707856650   整理番号:17A0381416

摩擦帯電はセキュリティ応用のためのフィン事実(フリップフロップ作動チャネルトランジスタ)を駆動【Powered by NICT】

Triboelectrification driven fin-fact (flip-flop actuated channel transistor) for security application
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: MEMS  ページ: 171-174  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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摩擦電気をもつシリコンナノワイヤ(Si NW)スイッチは,強化されたセキュリティ応用と将来のエレクトロニクスのための初めて提案した。機械的北西スイッチの大きさは50nm厚のエアギャップを持つ50nm,厚さ100nm幅,CMOS製造技術を用いて作製した。ゲートパッド上の人手に触れることにより,製作したスイッチは,摩擦帯電による静電気力に由来するフィンチャンネルの破壊によるターンオフと同様にターンオンできる。この技術は,セキュリティ強化将来のエレクトロニクスとして期待されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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粉体工学 

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