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J-GLOBAL ID：201702233029526192   整理番号：17A0453567

h-BNドメインの端からのグラフェンの横方向成長の原子論的理解:鋭い面内接合に向けて【Powered by NICT】

Atomistic understanding of the lateral growth of graphene from the edge of an h-BN domain: towards a sharp in-plane junction

著者 (5件)： Han Nannan (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams (Dalian University of Technology), Ministry of Education, Dalian 116024, China. [e-mail]) ,  Liu Hongsheng ,  Zhang Junfeng ,  Gao Junfeng ,  Zhao Jijun
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 10  ページ： 3585-3592  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン(G)と窒化ホウ素(h BN)の面内組合せは,横方向H BN/Gヘテロ構造,新しい二次元エレクトロニクスのための有望な候補であることをもたらした。Gとh-BNドメイン間の界面の品質は,デバイス性能にとって非常に重要である。包括的な第一原理計算により,Cu(111)表面上のh-BNドメインの縁に沿ってグラフェンのヘテロエピタキシャル成長を調べ,Cu(111)テラス上のそれと比較した。グラフェン核形成サイトは炭素と堆積したh-BN被覆の化学ポテンシャルに強く依存することを見出した。h-BNの適切な炭素濃度と被覆率の下で,グラフェンは主にh-BN端に沿って成長し,鋭く直線的なH BN/G界面をもたらした。著者らの結果は,明確な時間BN/Gと他の横方向ヘテロ構造を合成するための洞察に満ちた知識を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エピタクシー ,  窒化ホウ素 ,  被覆 ,  界面 ,  化学ポテンシャル ,  *グラフェン ,  核形成 ,  二次元 ,  被覆率 ,  炭素 ,  電子技術
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  ヘテロ構造 ,  *横方向成長 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： h-BN ,  ドメイン ,  端 ,  グラフェン ,  横方向成長 ,  理解