文献

J-GLOBAL ID：201702233316600683   整理番号：17A0214345

CVD成長させたGe/strained Ge_0 91Sn_0 0.09/Ge量子井戸p-MOSFETの記録的な高移動度(428cm~2/V s)【Powered by NICT】

Record high mobility (428cm²/V-s) of CVD-grown Ge/strained Ge_0.91Sn_0.09/Ge quantum well p-MOSFETs

著者 (14件)： Huang Yu-Shiang (Graduate Institute of Electronics Engineering) ,  Huang Chih-Hsiung (Graduate Institute of Electronics Engineering) ,  Lu Fang-Liang (Graduate Institute of Electronics Engineering) ,  Lin Chung-Yi (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Ye Hung-Yu (Graduate Institute of Electronics Engineering) ,  Wong I-Hsieh (Graduate Institute of Electronics Engineering) ,  Jan Sun-Rong (Graduate Institute of Electronics Engineering) ,  Lan Huang-Siang (Graduate Institute of Electronics Engineering) ,  Liu C. W. (Graduate Institute of Electronics Engineering) ,  Huang Yi-Chiau (Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States) ,  Chung Hua (Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States) ,  Chang Chorng-Ping (Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States) ,  Chu Schubert S. (Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States) ,  Kuppurao Satheesh (Applied Materials Inc, Sunnyvale, California, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 33.1.1-33.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は400°Cの低い熱予算でCVD成長させたGeSnチャネルは550°Cの高い熱収支で処理したGeチャネルの性能を著しく上回る事を初めてである低熱予算プロセスの際のSnの損失を防ぐ必要がある。MBE成長させたGeSnは過去に報告されている大きな移動度を示したことに注意すべきである。高Sn含有量(9%)であっても,強い光ルミネセンスは300mm Si(001)上のGeバッファ上にGeSn層から観察され,CVDエピタクシーによる高結晶品質を示した。Ge/GeSn界面で有意なΔEvを有するGeキャップはゲートスタック品質を確保し,酸化物/界面電荷と表面粗さによってGeSn量子井戸における正孔の散乱を減少させることができる。しかし,移動度はGeSn井戸における低い正孔集団による厚いキャップにより分解される。<110>チャネル方向に~7%移動度の増大は有効質量の減少による約0.11%の外部横方向一軸引張歪を用いて観測した。GeSn量子井戸p-MOSFETの移動度は高及び低反転キャリア密度で温度の減少と共に増加し,移動度はフォノン散乱によって支配されることを示した。これに反して,Geチャネルは低反転キャリア密度,温度の低下に伴う移動度減少を持つでのCoulomb散乱が支配的である。GeSn p-MOSFETの正規化雑音パワー密度はGeキャップ厚さの増加とともに減少し,初めて報告されている,キャリアは界面から離れた場合キャリア数変動と相関移動度変動を減少させることができることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 有効質量 ,  *移動度 ,  *MOSFET ,  界面 ,  *ゲルマニウム ,  Coulomb散乱 ,  電荷 ,  光ルミネセンス ,  *スズ ,  正孔 ,  キャリア密度 ,  MBE成長 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： 引張歪 ,  ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD ,  成長 ,  Ge ,  量子井戸 ,  MOSFET ,  高移動度