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J-GLOBAL ID：201702233321171002   整理番号：17A0311850

微細構造,WドープNa_0 5Bi_0 5TiO_3薄膜の強誘電及び誘電特性に及ぼすアニーリング温度の影響【Powered by NICT】

Effects of annealing temperature on the microstructure, ferroelectric and dielectric properties of W-doped Na_0.5Bi_0.5TiO₃ thin films

著者 (8件)： Jiang X.M. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Yang C.H. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Yang C.H. (Shandong Provincial Key Laboratory of Preparation and Measurement of Building Materials, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Lv P.P. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Guo S.J. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Feng C. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Geng F.J. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Hu G.D. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 10  ページ： 12210-12214  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造,形態,Na_0 5Bi_0 5Ti_0 0.99W_0 0.01O_3+(NBTW)薄膜の強誘電及び誘電特性に及ぼすアニーリング温度の効果を詳細に報告した。膜をゾル-ゲル法により酸化インジウムスズ/ガラス基板上に堆積し,採用したアニーリング温度は560 620°Cの範囲であった。全ての膜は純粋なペロブスカイト構造に結晶化することができ,亀裂のない平滑な表面を示した。特に,600°CでアニールしたNBTW薄膜は750kV/cmで測定した20μC/cm~2の相対的に大きな残留分極(Pr)を示した。,608の高い誘電率と0.094の低い誘電損失62%の大きな誘電同調率を示し,室温可変同調デバイス応用における理想的NBTW薄膜を作成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電率 ,  ゾル-ゲル法 ,  原子価 ,  結晶化 ,  *薄膜 ,  誘電損失 ,  酸化インジウムスズ ,  *誘電性 ,  残留分極 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 可変同調 ,  同調率 ,  ペロブスカイト型構造 ,  ガラス基板 ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ferroelectrics ,  薄膜 ,  高原子価イオン置換 ,  アニーリング温度 ,  電気特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微細構造 ,  ドープ ,  薄膜 ,  誘電特性 ,  アニーリング温度