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J-GLOBAL ID:201702233815908531   整理番号:17A0764682

陽電子消滅分光法によりプローブしたZnOバルクで固有点欠陥の発展【Powered by NICT】

Evolution of native point defects in ZnO bulk probed by positron annihilation spectroscopy
著者 (6件):
資料名:
巻: 18  号:ページ: 2072-2077  発行年: 2009年05月 
JST資料番号: W1539A  ISSN: 1674-1056  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,陽電子寿命測定と,コインシデンスDoppler広がり(CDB)分光法によるZnO単結晶の温度による固有点欠陥の発展,陽電子寿命と電子運動量分布の計算結果を検討した。ZnOバルクにおける陽電子寿命の計算結果と実験結果は亜鉛単空格子点の存在を保証し,亜鉛単一空格子点濃度は600°C以上のアニーリング処理を減少し始める。CDBを元素種を識別するための有効な方法であり,ここではこの技術を計算した電子運動量分布を持つ酸素空格子点,正電荷に起因する陽電子を捕獲しないを決定した。CDBスペクトルは,酸素空格子点は600°Cアニーリング処理まで現れ,アニーリング温度の増加に伴って増加しないことを示した。本研究は緑色発光は酸素空孔と密接な関係を有しているという考えを支持する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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陽電子消滅  ,  半導体の格子欠陥 

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