文献

J-GLOBAL ID：201702233855672890   整理番号：17A0702840

MoS_2電界効果トランジスタの厚さに依存するSchottky障壁の高さ【Powered by NICT】

Thickness-dependent Schottky barrier height of MoS₂ field-effect transistors

著者 (7件)： Kwon Junyoung (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul, 03722, Korea. [e-mail]) ,  Lee Jong-Young ,  Yu Young-Jun ,  Lee Chul-Ho ,  Cui Xu ,  Hone James ,  Lee Gwan-Hyoung
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 18  ページ： 6151-6157  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)を含む,2D半導体は最近広く研究されている。しかし,素子性能は大きな接触抵抗のために劣化した。MoS_2金属接触の接触抵抗はMoS_2の厚みと共に減少した。MoS_2である三層厚約70meVの低いSchottky障壁高さを得た。MoS_2の接触金属と層厚さの最適選択を見つけることが重要である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  接触抵抗 ,  *Schottky障壁 ,  層厚
準シソーラス用語： Schottky障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  厚さ ,  Schottky障壁