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J-GLOBAL ID：201702233958945338   整理番号：17A0325061

オプトエレクトロニック集積素子のためのグラフェンMoS_2ヘテロ構造におけるグラフェンプラズモンの研究【Powered by NICT】

Study of graphene plasmons in graphene-MoS₂ heterostructures for optoelectronic integrated devices

著者 (10件)： Liu Ruina (China CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liao Baoxin ,  Guo Xiangdong ,  Hu Debo ,  Hu Hai ,  Du Luojun ,  Yu Hua ,  Zhang Guangyu ,  Yang Xiaoxia ,  Dai Qing
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 1  ページ： 208-215  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子回路の性能は,オンチップディジタル情報伝達により制限されつつある。光相互接続の実現を可能にするとして超高閉込めと低減衰率を有するグラフェンプラズモンはこの問題に対する有効な解決策を提供する。しかし,半導体との直接接触は常に半導体におけるプラズモンの大きな減衰によるプラズモン特性を劣化させる。ここでは,次世代電子デバイスのための有望な半導体を表すグラフェンと単分子層MoS_2のヘテロ構造におけるグラフェンプラズモンを研究した。ヘテロ構造におけるグラフェンプラズモンは共鳴周波数,強度,寿命と電気的可変同調性の観点から系統的に評価し,それらの主要な特性を保持することがわかった。同じゲートバイアスでグラフェン素子と比較して,実験結果は,グラフェン/MoS2_2とMoS_2/グラフェンデバイスの両方のためのプラズモン周波数の赤方偏移と共鳴強度の減少の両方を示した。これらの結果は,グラフェンの誘電定数と有効ドーピングの変化に起因すると考えられる。さらに,バックゲートグラフェン/MoS2_2素子における電子分岐に及ぼす電気伝導率飽和は電子プラズモンをキャンセルした。これらの知見は,電気的に調整可能なグラフェンプラズモンは半導体MoS_2と接触して実現できることを実証した。著者らの結果は,van der Waalsヘテロ構造を通過するプラズモン素子と半導体をベースとしたエレクトロニクスとオプトエレクトロニクス用デバイスの集積化の研究のためのプラットフォームを提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 赤方偏移 ,  *プラズモン ,  同時性 ,  電子回路 ,  電子技術 ,  誘電率 ,  単分子層 ,  オプトエレクトロニクス ,  半導体 ,  *グラフェン ,  電気伝導率 ,  共振周波数
準シソーラス用語： 電子素子 ,  オンチップ ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集積 ,  グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  研究