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J-GLOBAL ID：201702233962213905   整理番号：17A0532319

GAN:MN系の電磁気的性質と光学的性質に及ぼすN空孔とGA空孔の影響に関する第一原理研究を行った。【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of the effects of GaN:Mn with N vacancy and Ga vacancy on electronic structures,ferromagnetism and optical properties

著者 (4件)： Jiang Lianjiao (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineering, South China Normal University) ,  Fu Silie (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineering, South China Normal University) ,  Qin Yingxing (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineering, South China Normal University) ,  Li Jianxiang (Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineering, South China Normal University)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 47  号： 12  ページ： 12139-12146  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理平面波擬ポテンシャル法を用いて、V_(GA)とV_NがMN原子を近隣、近隣、,の各三種類の場合のGAN系の電子構造と光学的MNドーピングGAN系の磁気的性質に及ぼす空孔の異なる位置の影響を解析した。計算結果により,MNドーピングは,GAN系のバンドギャップを増加させ,そして,システムは,半金属強磁性を示した。V_Nの存在は欠陥複合体系の強磁性を増強し、V_Nの不純物MNの距離が近いほど、システムの総磁気モーメントは増加する。V_(GA)の存在は欠陥複合体系の強磁性を低下させ、GA空孔の相対不純物MN距離が近いほど、系のトータル磁気モーメントは減少する。異なる位置のV_(GA)とV_Nはいずれも欠陥複合体系主吸收峰ととが単一MNドーピングに比べて低エネルギー方向に移動し、赤方偏移現象が現れた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 複合欠陥 ,  平面波 ,  赤方偏移 ,  バンドギャップ ,  *光学的性質 ,  不純物 ,  擬ポテンシャル法 ,  半金属 ,  *第一原理 ,  磁気モーメント ,  強磁性 ,  密度汎関数法 ,  *磁気的性質
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  *電磁的性質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN crystal ,  Mn doping ,  vacancy ,  electronic strutures ,  optical properties

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  Mn ,  電磁気的性質 ,  光学的性質 ,  空孔 ,  Ga ,  第一原理 ,  研究