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J-GLOBAL ID：201702234140592944   整理番号：17A0769443

極薄シリコン窒化炭素膜:磁気記憶デバイスにおける読取/書込ヘッドのための有望な保護コーティング【Powered by NICT】

Ultra-Thin Silicon Carbon Nitride Film: a Promising Protective Coating for Read/Write Heads in Magnetic Storage Devices

著者 (4件)： GAO Peng (Faculty of Materials and Metallurgical Engineering,Kunming University of Science and Technology) ,  XU Jun (Ion and Electron Beams,Dalian University of Technology) ,  DING Wan-Yu (Ion and Electron Beams,Dalian University of Technology) ,  DONG Chuang (Ion and Electron Beams,Dalian University of Technology)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 6  ページ： 194-197  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2nmまでの超薄非晶質Si-C-N膜はMW-ECRプラズマで促進されたアンバランスマグネトロンスパッタリングにより合成した。膜の摩擦係数はわずか0.11,400mNの荷重で20分間GCr15ボールに対する乾燥摩擦試験で決定した。膜は,現在の計算機産業で使用される通常の条件(0.05mol/L4分)と比較して0.1mol/lのシュウ酸のより厳しい腐食環境に浸漬した12hであった時,腐食に対して良好な保護を示した。これらの良好な特性は,膜の滑らかで,緻密で,細孔のない構造に帰することができる。これらはこの方法により合成したSi-C-N膜読取/書込ヘッドと他の磁気記憶デバイスのための有望な保護コーティングであることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 摩擦係数 ,  *窒化 ,  *被覆 ,  乾燥摩擦 ,  *磁気 ,  浸漬 ,  アモルファスシリコン ,  計算機械 ,  *記憶装置 ,  細孔 ,  プラズマ ,  脂肪族カルボン酸 ,  ジカルボン酸
準シソーラス用語： 腐食環境 ,  *炭素膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 英語キーワード

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： シュウ酸

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  窒化 ,  炭素膜 ,  磁気記憶デバイス ,  読取 ,  書込ヘッド ,  コーティング