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J-GLOBAL ID：201702234317481194   整理番号：17A0399662

単一光子エミッタとして挙動する量子ドットの鎖の選択的核形成のための成長の調整【Powered by NICT】

Tuning the growth for a selective nucleation of chains of Quantum Dots behaving as single photon emitters

著者 (9件)： Latini V. (Universita di Roma “Tor Vergata”, Dipartimento di Fisica, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy) ,  Tisbi E. (Universita di Roma “Tor Vergata”, Dipartimento di Fisica, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy) ,  Placidi E. (Universita di Roma “Tor Vergata”, Dipartimento di Fisica, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy) ,  Placidi E. (Istituto di Struttura della Materia, CNR, Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Roma, Italy) ,  Patella F. (Universita di Roma “Tor Vergata”, Dipartimento di Fisica, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy) ,  Biccari F. (Dipartimento di Fisica e Astronomia, LENS, Universita di Firenze, Via Sansone 1, Sesto Fiorentino, I-50019 Firenze, Italy) ,  Gurioli M. (Dipartimento di Fisica e Astronomia, LENS, Universita di Firenze, Via Sansone 1, Sesto Fiorentino, I-50019 Firenze, Italy) ,  Vinattieri A. (Dipartimento di Fisica e Astronomia, LENS, Universita di Firenze, Via Sansone 1, Sesto Fiorentino, I-50019 Firenze, Italy) ,  Arciprete F. (Universita di Roma “Tor Vergata”, Dipartimento di Fisica, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 177-183  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一および二層InAs/GaAs(001)試料は臨界状態下での分子ビームエピタクシーチャンバ内で成長させ,盛土GaAs表面上の自己組織化InAs量子ドット鎖の選択的成長をもたらした。スペーサ層とInAs堆積の厚さを変えると,第二層の2倍または単一鎖の核形成を調整することを可能にした。有限要素法シミュレーションは単一積層鎖の形成に好都合なにおける歪場の主要な役割を証明した。一方,As_4/Inフラックス比を適切に調整する鎖に沿ったQD秩序を改善に寄与した。マイクロ光ルミネセンス実験により,観察された量子ドットの単一光子発光特性を示した。本成長アプローチはInAs量子ドットの光学的品質を劣化し,鎖に沿って整列したQD間の有意な空間的相関を可能にしなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  選択成長 ,  歪場 ,  *核形成 ,  スペーサ ,  臨界 ,  自己組織化 ,  ヒ化インジウム ,  MBE成長 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： マイクロ光ルミネセンス ,  積層 ,  InAs量子ドット ,  二層 ,  *単一光子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1低次元構造 ,  A3分子ビームエピタクシー ,  A3選択的エピタクシー ,  B2半導性III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単一光子エミッタ ,  挙動 ,  量子ドット ,  核形成 ,  成長