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J-GLOBAL ID:201702235054058685   整理番号:17A0637533

良く知られた半導体材料の新しい結晶構造 次世代デバイスとして有望な雲状配列の酸化インジウムガリウム亜鉛複合材料

Novel crystal structures for familiar semiconductor materials: Cloud-aligned indium gallium zinc oxide composites hold promise for next-generation devices
著者 (3件):
資料名:
巻: 96  号:ページ: 31-33  発行年: 2017年05月 
JST資料番号: A0366A  ISSN: 0002-7812  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)の新規な結晶構造が次世代表示装置の様々な用途に応用できる複合的な機能性を示した。IGZOの薄膜をスパッタリング装置により製造した。高基板温度では,XRDにより2θ=31°近傍の明確なピークを示した。低蒸着温度ではこのXRDによる2θ=31°近傍の明確なピークは弱く,室温で蒸着した場合にはこのピークは消失した。低温蒸着膜試料はナノビーム回折法(NBED)で環状パターンのスポットを示し,ナノ結晶の存在を示した。低温蒸着の問題点は表面に存在する水などの不純物が解放されないことである。そのために,ここでは130°Cで水分を解放してから蒸着し,c軸配向の結晶(CAAC)とナノ結晶構造を製造した。このCAACIGZO電界効果トランジスタ(FET)は理想的なスイッチング特性を示した。
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  トランジスタ 

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