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J-GLOBAL ID：201702235054058685   整理番号：17A0637533

良く知られた半導体材料の新しい結晶構造 次世代デバイスとして有望な雲状配列の酸化インジウムガリウム亜鉛複合材料

Novel crystal structures for familiar semiconductor materials: Cloud-aligned indium gallium zinc oxide composites hold promise for next-generation devices

著者 (3件)： BABA Haruyuki (Semiconductor Energy Lab. Co. Ltd.(SEL), Kanagawa, JPN) ,  NAKASHIMA Motoki (Semiconductor Energy Lab. Co. Ltd.(SEL), Kanagawa, JPN) ,  YAMAZAKI Shunpei (Semiconductor Energy Lab. Co. Ltd.(SEL), Kanagawa, JPN)
資料名： American Ceramic Society Bulletin  (American Ceramic Society Bulletin)
巻： 96  号： 4  ページ： 31-33  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： A0366A  ISSN： 0002-7812  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)の新規な結晶構造が次世代表示装置の様々な用途に応用できる複合的な機能性を示した。IGZOの薄膜をスパッタリング装置により製造した。高基板温度では,XRDにより2θ=31°近傍の明確なピークを示した。低蒸着温度ではこのXRDによる2θ=31°近傍の明確なピークは弱く,室温で蒸着した場合にはこのピークは消失した。低温蒸着膜試料はナノビーム回折法(NBED)で環状パターンのスポットを示し,ナノ結晶の存在を示した。低温蒸着の問題点は表面に存在する水などの不純物が解放されないことである。そのために,ここでは130°Cで水分を解放してから蒸着し,c軸配向の結晶(CAAC)とナノ結晶構造を製造した。このCAACIGZO電界効果トランジスタ(FET)は理想的なスイッチング特性を示した。

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  複合材料 ,  結晶構造 ,  表示装置 ,  スパッタ蒸着 ,  基板温度 ,  温度依存性 ,  ナノ結晶 ,  水分 ,  蒸発 ,  優先配向 ,  *FET【トランジスタ】 ,  スイッチング ,  スイッチ ,  半導体素子
準シソーラス用語： 酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  蒸着温度 ,  電界効果トランジスタスイッチ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体材料 ,  結晶構造 ,  次世代 ,  雲 ,  酸化インジウムガリウム亜鉛 ,  複合材料