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J-GLOBAL ID:201702235235226589   整理番号:17A0443962

構造,反応性同時スパッタしたNi-TiNナノ複合材料薄膜の応力と性質に及ぼす基板温度とアニーリングの影響【Powered by NICT】

Effect of substrate temperature and annealing on structure, stress and properties of reactively co-sputtered Ni-TiN nanocomposite thin films
著者 (2件):
資料名:
巻: 624  ページ: 70-82  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Niマトリックス中に分散したTiNナノ複合材料薄膜をRFおよびDC源として使用したTiとNiターゲットの同時スパッタリングにより300°C,500°Cまたは700°Cで 60Vのバイアスを持つシリコン(100)基板上にAr:N_2=1:2を持つ環境で堆積した。これらの膜の構造と性質を室温で堆積したものと比較して,上記温度で真空中で1時間アニールした。<111>はNiの優先配向であるが,<100>から<111>には500°C以上の温度でのTiNで観察され,XRD解析により確認された。NiおよびTiNの平均粒径は25nmと6 13nmの範囲であることが見出され,それぞれ,XRDとTEM研究を使用している。圧縮引張残留応力への転移は堆積又はアニーリングのための基板温度の上昇とともに観察された。ナノ圧子を用いて評価し膜の硬さ,弾性係数および耐摩耗は300°Cの基板温度での成長に最も最適値を有することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 

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