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J-GLOBAL ID：201702235305417954   整理番号：17A0469721

主反応型を制御することによる空間分離した原料供給法を用いたMOCVDにおけるIII族窒化物エピタクシー用の寄生反応の軽減【Powered by NICT】

Alleviation of parasitic reactions for III-nitride epitaxy in MOCVD with a spatial separated source delivery method by controlling the main reaction type

著者 (9件)： Yang Haojun (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Wu Haiyan (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Hu Wei (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Ma Ziguang (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Jiang Yang (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Wang Wenxin (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Jia Haiqiang (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Zhou Junming (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China) ,  Chen Hong (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condense Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 465  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDを用いた気相中のIII族プリカーサとアンモニア(NH_3)間の寄生反応を軽減するために提案されている空間分離源デリバリー(SSSD)法。サファイア上に成長させたAlGaN合金とGaN膜をこの方法で調製した。AlGaNとGaN膜の品質と性質に及ぼす寄生反応の影響を詳細に調べた。高分解能X線回折(HRXRD)測定は,TMAlの供給比は,それぞれ0.2,0.3と0.4であり,寄生反応はほとんど抑制されることを実証したとき材料中のアルミニウム組成は,トリメチルアルミニウム(TMAl)供給の比に近い上昇することを示した。GaNのその場モニタ反射率計スペクトルは成長速度はSSSD法無しで成長させた材料と比較して20%の増加をもたらすことを示した。続いて,寄生反応及び他の反応タイプの間の関係を明らかにした。寄生反応に及ぼすSSSD法の影響も系統的に研究した。反応はSSSD法と組み合わせた反応から熱分解反応と表面反応に支配される。2インチGaN/AlGaNヘテロ構造もこの方法で成長させた均一な電気特性を評価するために調製した。SSSD法は高品質III族窒化物材料を調製し,特にAlNおよび関連合金のためのより良い方法を提供することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱分解 ,  気相 ,  *MOCVD ,  表面反応 ,  プリカーサ ,  *窒化物 ,  アルミニウム ,  アンモニア ,  窒化アルミニウム ,  成長速度 ,  窒化ガリウム ,  サファイア
準シソーラス用語： 高品質 ,  ヘテロ構造 ,  窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Parasatic反応 ,  MOCVD ,  III-窒化物材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原料供給 ,  MOCVD ,  III族 ,  窒化物 ,  エピタクシー ,  寄生