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J-GLOBAL ID：201702235644344552   整理番号：17A0323163

シリコン(100)ウエハ上のAlN膜の残留応力の成長と進化【Powered by NICT】

Growth and evolution of residual stress of AlN films on silicon (100) wafer

著者 (8件)： Pandey Akhilesh (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India) ,  Pandey Akhilesh (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India) ,  Dutta Shankar (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India) ,  Prakash Ravi (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India) ,  Dalal Sandeep (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India) ,  Raman R. (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India) ,  Kapoor Ashok Kumar (Solid State Physics Laboratory, DRDO, Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110054, India) ,  Kaur Davinder (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 52  ページ： 16-23  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)薄膜は,多様な応用に広く使用されている。しかし,その使用は堆積プロセス中に発生した最小化残留応力に大きく依存する。本論文では,厚さを変化させたSi(100)基板上にスパッタ蒸着したAlN薄膜中の残留応力の発展を報告した。堆積した膜は厚さの低い値(300nmと430nm)の(100)に沿った方向を持つ多結晶ウルツ鉱型構造と(002)優先より厚い膜(630nmと830nm)で配向していることが分かった。AlN膜中の残留応力を,X線回折,赤外吸収とウエハ曲率法により推定した。決定された残留応力は互いに良く一致することが分かったと本質的に圧縮した。AlN薄膜の残留応力は膜厚の増加と共に減少( 2.1GPaから 0.6GPaまで)ことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 膜厚 ,  *残留応力 ,  X線回折 ,  薄膜 ,  多結晶 ,  曲率 ,  *窒化アルミニウム
準シソーラス用語： 赤外吸収 ,  ウルツ鉱型構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 窒化アルミニウム ,  残留応力 ,  X線回折 ,  赤外吸収 ,  ウエハ曲率

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ウエハ ,  AlN ,  残留応力 ,  成長 ,  進化