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J-GLOBAL ID：201702235748143091   整理番号：17A0329327

CNT TFETのゲート誘電体強度に依存する性能:タイトバインディング研究【Powered by NICT】

Gate dielectric strength dependent performance of CNT TFET: A tight binding study

著者 (4件)： Sarker Md. Shamim (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna-9203, Bangladesh) ,  Islam Muhammad Mainul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna-9203, Bangladesh) ,  Alam Md. Nur Kutubul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna-9203, Bangladesh) ,  Islam Md. Rafiqul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna-9203, Bangladesh)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICCIT  ページ： 159-163  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゲート酸化物材料の異なる誘電強度を考慮に入れたCNT TFETの性能の詳細な研究を提示した。ここでは,伝達特性,オン/オフ電流比(Ion/Ioff),密着結合骨格における非平衡グリーン関数(NEGF)形式を用いたデバイスのサブしきい値勾配を調べた。結果はNanoTCAD ViDES環境における自己無撞着NEGFとPoisson方程式を解くことにより得られ,CNT TFETの性能にゲート酸化物誘電体強度の興味ある依存性を持つことが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *誘電体 ,  Poisson方程式 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  非平衡Green関数 ,  伝達特性 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： CNT ,  TFET ,  ゲート誘電体 ,  研究