文献

J-GLOBAL ID：201702235779843937   整理番号：17A0323796

X線照射によるP(VDF/TrFE)の圧電気増強【Powered by NICT】

Piezoelectricity enhancement of P(VDF/TrFE) by X-ray irradiation

著者 (11件)： Pilet N. (Paul Scherrer Institute (PSI), CH-5232, Villigen, Switzerland) ,  Khikhlovskyi V. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P. O. Box 513, 5600 MB, Eindhoven, The Netherlands) ,  van Breemen A.J.J.M. (Holst Centre, TNO-The Dutch Organization for Applied Scientific Research, High Tech Campus 31, 5656 AE, Eindhoven, The Netherlands) ,  Michels J.J. (Holst Centre, TNO-The Dutch Organization for Applied Scientific Research, High Tech Campus 31, 5656 AE, Eindhoven, The Netherlands) ,  Michels J.J. (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, 55128, Mainz, Germany) ,  Kemerink M. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P. O. Box 513, 5600 MB, Eindhoven, The Netherlands) ,  Kemerink M. (Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkping University, P. O. Box SE-581 83, Linkping, Sweden) ,  Gelinck G. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P. O. Box 513, 5600 MB, Eindhoven, The Netherlands) ,  Gelinck G. (Holst Centre, TNO-The Dutch Organization for Applied Scientific Research, High Tech Campus 31, 5656 AE, Eindhoven, The Netherlands) ,  Warnicke P. (Paul Scherrer Institute (PSI), CH-5232, Villigen, Switzerland) ,  Bernard L. (Empa, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, CH-8600, Duebendorf, Switzerland)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 37  ページ： 257-262  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模でも製作および堆積複雑性の低レベルは,将来の低コスト技術的製品開発のための良い候補となるために,有機エレクトロニクスはますます重要になってきている。P(VDF TrFE)は再プログラマブル不揮発性有機メモリと磁気電気センサの使用を可能にするため特別な関心その強誘電特性の共重合体である。圧電力顕微鏡(PFM)を用いて圧電特性のイメージングによる技術的に重要な強誘電分極率とその残留分極へのアクセスを提供する。P(VDF TrFE)膜の圧電応答は軟X線照射後260%まで向上させることができることを示すために,PFMを使用した。この増強は膜の一部の形態変化と相関し,非晶質から結晶へ。最適照射線量はそれ以上で膜は侵食されが判明し,圧電応答が低下した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強誘電性 ,  顕微鏡観察 ,  非揮発性 ,  軟X線 ,  製品開発 ,  *X線照射 ,  力顕微鏡 ,  残留分極 ,  *圧電気 ,  照射線量
準シソーラス用語： 圧電応答 ,  強誘電分極 ,  圧電特性 ,  磁気電気センサ ,  有機エレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： A FM ,  STXM ,  有機メモリ ,  圧電重合体 ,  Morphology ,  X線照射 ,  圧電力顕微鏡観察 ,  P(VDF TrFE)

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： X線照射 ,  VDF ,  圧電気 ,  増強