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J-GLOBAL ID：201702235982279869   整理番号：17A0055497

HfO_2~をベースにした抵抗スイッチングメモリ構造におけるオゾン前処理の影響【Powered by NICT】

The influence of ozone pre-treatment in HfO₂-based resistive switching memory structures

著者 (4件)： Benko P. (Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Mikolasek M. (Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Harmatha L. (Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Institute of Electronics and Photonics, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Frohlich K. (Slovak Academy of Sciences, Institute of Electrical Engineering, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 243-246  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2~ベース抵抗スイッチング金属-絶縁体-金属構造における底TiN電極のオゾン前処理の影響を調べた。厚さ5.7nm,4nm,3nmのHfO_2層はオゾン支援原子層堆積によって調製した。選択した試料はHfO_2堆積前にオゾンのみのサイクルによって前処理した。すべての構造で得られた安定で再現性の良い双極性抵抗スイッチング。+0.2Vの読み出し電圧での抵抗率比は,オゾン前処理なしでオゾン前処理,Pt/HfO_2(4 nm)/TiNとPt/HfO_2(3 nm)/TiN Pt/HfO_2(5.7 nm)/TiN構造100以上であった。,オゾン前処理構造は形成電圧の低い値を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再現性 ,  *オゾン ,  電圧 ,  *前処理 ,  電気抵抗率 ,  MIM構造
準シソーラス用語： ALCVD ,  二層 ,  窒化チタン ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 抵抗スイッチングメモリ ,  オゾン ,  前処理