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J-GLOBAL ID：201702236010442546   整理番号：17A0445100

SiCドープグラフェンナノリボンにおける広がった状態のエネルギーギャップ:ab initio計算【Powered by NICT】

Energy gap of extended states in SiC-doped graphene nanoribbon: Ab initio calculations

著者 (7件)： Liu Xiaoshi (College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, PR China) ,  Liu Xiaoshi (Shanghai Key Lab of Modern Optical System, Shanghai 200093, PR China) ,  Wu Yong (College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, PR China) ,  Wu Yong (Shanghai Key Lab of Modern Optical System, Shanghai 200093, PR China) ,  Li Zhongyao (College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, PR China) ,  Li Zhongyao (Shanghai Key Lab of Modern Optical System, Shanghai 200093, PR China) ,  Gao Yong (School of Science, Shanghai Second Polytechnic University, Shanghai 201209, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 400  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジグザググラフェンナノリボン(ZGNR)における広がった状態のエネルギーギャップを,密度汎関数理論に基づいて検討した。単離したZGNRでは,エネルギーギャップはリボンの幅に逆比例した。スピン非分極ZGNRにおけるDirac方程式からの結果と良く一致し,考慮したZGNRはスピン分極エッジがある。しかし,SiCドープZGNRにおけるエネルギーギャップは有効幅近似によってはモデル化できない。ドーピングもエッジ状態のスピン縮退を持ち上げるとSiCドープZGNRにおけるFermi準位付近の金属的バンド構造をもたらした。著者らの計算は,エピタキシャルグラフェンナノリボンで報告された単一チャネルバリスティック輸送の起源の理解に役立つであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エネルギーギャップ ,  Fermi準位 ,  スピン分極 ,  汎関数 ,  モデリング ,  密度汎関数法 ,  *ドーピング ,  分極 ,  有効幅 ,  *炭化ケイ素 ,  縮退 ,  Dirac方程式 ,  バリスティック輸送
準シソーラス用語： *グラフェンナノリボン ,  エッジ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バンド構造 ,  エネルギーギャップ ,  グラフェンナノリボン ,  密度範関数理論 ,  スピン分極エッジ状態

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属・半導体のEPR  (BM07022M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  エネルギーギャップ ,  計算