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J-GLOBAL ID：201702236109168317   整理番号：17A0355388

多層ナノALGAN膜の調製と電界放出特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Preparations and field emission properties of multilayer AlGaN nanofilm

著者 (5件)： Shen Zhen (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology) ,  Chen Chengcheng (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology) ,  Wang Ruzhi (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology) ,  Wang Bo (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology) ,  Yan Hui (College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 65  号： 23  ページ： 236803-1-236803-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,レーザパルス堆積システムを用いてSIC基板上にGAN/ALN/GAN多層ナノ構造薄膜を作製し,多層薄膜の量子構造の増強電界放出特性を研究し,X線回折と走査電子顕微鏡の結果を示した。その結果,良好な界面と良好な結晶化を有するナノ多孔性ナノ多層膜が成功裏に調製されたことが判明した。電界放出試験結果は以下のことを示した。GANとALN単層ナノ薄膜と比較して,多層ナノ構造膜の電界放出特性は著しく向上した。そのターンオン電圧は0.93V/ΜMであり,電流密度は5.5V/ΜMで30MA/CM2に達した。その後、ナノ構造増強電界放出メカニズムを分析し、電子が多層ナノ構造薄膜中の量子井戸中に蓄積され、その表面障壁高さが著しく低下し、共鳴トンネル効果により、電子の透過確率が更に向上し、それによって電界放出性能が大幅に向上した。この研究結果は,高性能場薄膜の調製のための良い技術的方法を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  *電界放出 ,  共鳴トンネル効果 ,  多層膜 ,  電流密度 ,  界面 ,  レーザパルス ,  量子井戸 ,  ナノ構造 ,  X線回折 ,  *多層 ,  ナノシート
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  ナノ薄膜 ,  ナノポーラス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN ,  multilayer nanofilm ,  quantum structure enhanced field emission ,  resonant tunneling

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層 ,  AlGaN ,  調製 ,  電界放出 ,  研究