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J-GLOBAL ID：201702236133720852   整理番号：17A0880513

SiC/ZrB_2界面の界面安定性,エネルギーおよび電子特性の第一原理計算【Powered by NICT】

First principles calculation of interfacial stability, energy and electronic properties of SiC/ZrB₂ interface

著者 (5件)： Xiong Huihui (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China) ,  Liu Zhao (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China) ,  Zhang Henghua (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China) ,  Du Zheng (National Supercomputing Center in Shenzhen (Shenzhen Cloud Computing Center), Shenzhen 518055, China) ,  Chen Congmei (National Supercomputing Center in Shenzhen (Shenzhen Cloud Computing Center), Shenzhen 518055, China)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 107  ページ： 162-169  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC/ZrB_2複合材料被覆の界面モデルを,密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算によって研究した。立方晶SiCと六方晶ZrB_2を本研究で選択した,十二種類のSiC(111)/ZrB_2(0001)界面構造の四つの異なる終端および三の積層順序を考慮して調べた。SiC/ZrB_2界面の凝集エネルギー(W_ad),界面エネルギー(γ_int),および電子構造を計算した。結果は9層を持つZrB_2(0001)表面はバルクのような内部特性を示すことが分かった。C/Zr終端hcp積層(CZH),Si/Zr終端hcp積層(SZH),C/B末端中心積層(CBC)とSi/B末端中心積層(SBT)の界面の中で,CZH界面は最大W_ad(6.28J/m~2)を有し,最良の安定性である。ジルコニウム化学ポテンシャルの範囲にわたって,CZH,SZH,CBCとSBT界面のγ_intは-0.31 2 0.50J/m~21.07 3 0.88J/m~22.85 5 0.66J/m~2と2.32 5 13J/m~2であった。計算された電子特性は,CZH,CBCとSBT界面は主に共有結合を含むことを明らかにするが,SZHは主に金属結合から構成されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 凝集エネルギー ,  複合材料 ,  化学ポテンシャル ,  六方晶系 ,  *炭化ケイ素 ,  *計算 ,  表面エネルギー ,  共有結合 ,  *界面 ,  電子構造 ,  金属結合 ,  *ジルコニウム ,  密度汎関数法 ,  *第一原理
準シソーラス用語： 界面構造 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第一原理 ,  SiC/ZrB_2界面 ,  凝集エネルギー ,  界面エネルギー ,  電子的性質

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  界面 ,  安定性 ,  エネルギー ,  電子 ,  第一原理計算