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J-GLOBAL ID:201702236186528444   整理番号:17A0734863

SC_2O_3層は,532NMの高反射膜において適用した。【JST・京大機械翻訳】

Sc_2O_3 substitution layer for application in 532nm HR films
著者 (6件):
資料名:
巻: 21  号: 10  ページ: 1476-1480  発行年: 2009年 
JST資料番号: C2482A  ISSN: 1001-4322  CODEN: QYLIEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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SC_2O_3層を532NMの用(HFO_2/SIO_2)Nに導入し、SC_2O_3を用いて塩酸中で良好な溶解性という特徴を持ち、膜と基板を剥離し、修復周期を短縮し、コストを低減した。エネルギー分散スペクトルの測定によると、脱離後のSC元素の残留率は0である。LAMADA900分光光度計,WYKONT1100ラウンド,およびZYGO干渉計を用いて,用のスペクトル,表面粗さ,および応力に及ぼす替代層の影響を研究し,532NMでのレーザ損傷閾値の変化を測定した。結果は,SC_2O_3の導入が,用の性能にほとんど影響を及ぼさないことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
レーザ照射・損傷  ,  トランジスタ  ,  光デバイス一般 

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