文献
J-GLOBAL ID:201702236258771722   整理番号:17A0389406

環境安定で溶液加工可能な両極性有機電界効果トランジスタ及びインバータのための超低バンドギャップ分子半導体【Powered by NICT】

Ultralow bandgap molecular semiconductors for ambient-stable and solution-processable ambipolar organic field-effect transistors and inverters
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 2368-2379  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
新しい両極性半導体の設計と開発である有機相補型(CMOS)集積回路を含む種々のオプトエレクトロニクス技術を前進させるために非常に重要である。多数の高性能両極性ポリマーは,現在まで実現されているが,小分子は,環境安定性と溶液加工性とともに高両極性性能を提供できなくなっている。本研究では,D-A-Dπアーキテクチャにおけるビチオフェンドナー単位をもつ高度にπ電子不足,はしご型IFDK/IFDMアクセプタコアを実装することにより,二種の新規小分子,2OD TTIFDKと2OD TTIFDM,両極性に対して十分にバランスのとれた分子エネルギー論を用いた超低バンドギャップ(1.21 1.65 eV)半導体を達成するために設計し,合成し,特性化した。新しい半導体のHOMO/LUMOエネルギーは 5.47/ 3.61及び 5.49/ 4.23eVであることが分かった。2OD TTIFDMの溶液せん断により作製したボトムgate/top接触OFETはI_on/I_off比~10~3 10~4の0.13cm~2V~ 1s~ 1および0.01cm~2V~ 1秒~ 1の合理的にバランスのとれた電子と正孔の移動度と完全に大気安定な両極性デバイスを,それぞれ,2OD TTIFDKベースOFETsはI_on/I_off比~10~5 10~6の高バランス(μ_e/μ_h~2)電子と正孔の移動度0.02cm~2V~ 1S~ 1と0.01cm~2V~ 1S~ 1の真空下で両極性を示した。さらに,相補的インバータ回路は,現在の両極性半導体80までの高い電圧利得を示した。著者らの知見は,両極性半導体の環境安定性はバルクπ骨格構造に直接関連しているない分子軌道エネルギーの関数であることを明確に示した。著者らの知る限り,処理,電荷輸送とインバータ特性を考慮した,現在の半導体はOFETとCMOS回路文献における両極性小分子の最高性能の中で際立っている。著者らの結果は,種々のオプトエレクトロニクス技術のための良好な溶液加工性と環境安定性を有する超低バンドギャップの両極性小分子の設計に効率的なアプローチを提供し,CMOS集積回路を含んでいる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 

前のページに戻る