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J-GLOBAL ID:201702236282887731   整理番号:17A0323161

Bi_2Se_3ドープした系の物理化学的性質に及ぼす組成依存性の影響【Powered by NICT】

Effect of compositional dependence on physicochemical properties of Bi2Se3 doped system
著者 (4件):
資料名:
巻: 52  ページ: 1-7  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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(x=0.0 1.00)Bi_2(Se_1 xTe_x)3系の結晶バルク組成を通常の融解法を用いて調製した。バルク試料の構造特性をXRDとSEM分析の助けを借りて研究した。組成元素分布と元素比をSEMで付着したEDX分光法を用いて推定した。XRDパターンは,調製した化合物はBi_2Se_3とBi_2Te_3および/または三元相の単相を有する結晶性材料であることを示した。結晶粒サイズ計算は,よく知られたScherrerの式を用いて行った。熱的研究分析は,DSCを用いて行った。DSC研究は,作製した試料は安定であり,温度範囲でいずれも分解可能なことを明らかにした。コンパクト性,モル体積と自由体積百分率のような物理化学的性質を,各化合物の実験的に計算した密度に基づいた関係する合金のために計算した。測定したパラメータはTe含有量への強い依存性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  半導体薄膜 
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