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J-GLOBAL ID:201702236572937888   整理番号:17A0417536

mmスケール高温センサノードのための39μWプログラムパワーを持つ11.2A,1Mbに埋め込まれたNORフラッシュメモリ【Powered by NICT】

11.2 A 1Mb embedded NOR flash memory with 39μW program power for mm-scale high-temperature sensor nodes
著者 (16件):
資料名:
巻: 2017  号: ISSCC  ページ: 198-199  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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小型センサノードは石油探査のような新しい応用の環境条件を監視するのに理想的である。センサノードのための一つの重要な要件は,センサ電源である排出事象におけるコンパクトで保持データ蓄積のための不揮発性メモリを埋め込んだ。不揮発性メモリは,ゼロに近い待機電力モード,温度による漏れの指数関数的な上昇,劣化電池寿命(Fig.11.2.1)急速にによる待機におけるSRAMを用いた場合には高温で達成するために特に困難を可能にした。しかし,伝統的なNORフラッシュは,mWレベルプログラムと消去パワー,この問題に対処するために内部抵抗>10kΩとmmスケール電池によって持続できないを必要とする,超低電力NORフラッシュ設計を提案し,高温条件下での環境モニタリングのために設計された:地熱あるいは油井に注入したときのような特異的に完全なセンサシステムへの統合を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  記憶装置 
タイトルに関連する用語 (4件):
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