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J-GLOBAL ID：201702236665113323   整理番号：17A0472831

高い熱安定性と長いデータ保持相変化メモリのためのSb_7Te_3/ZnSb多層薄膜【Powered by NICT】

Sb₇Te₃/ZnSb multilayer thin films for high thermal stability and long data retention phase-change memory

著者 (5件)： Chen Shiyu (Functional Materials Research Laboratory, School of Materials Science & Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China) ,  Wu Weihua (Functional Materials Research Laboratory, School of Materials Science & Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China) ,  Zhai Jiwei (Functional Materials Research Laboratory, School of Materials Science & Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China) ,  Song Sannian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Science, Shanghai 200050, China) ,  Song Zhitang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Science, Shanghai 200050, China)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 218  ページ： 59-63  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化メモリは次世代不揮発性メモリのための最も有望な候補の一つとして点である。本研究では,SbリッチSb_3Te_7の熱安定性を改善するSb_7Te_3/ZnSb多層薄膜を提案した。非晶質と結晶状態間のシート抵抗比は4桁の大きさまでに達した。熱安定性に関しては,10年データ保持のための計算した温度は約127°Cであった。Sb_7Te_3/ZnSbに基づく細胞のしきい値電流としきい値電圧は6.9μA及び1.9Vであった。低いRESET電力はSb_7Te_3/ZnSb膜のPCMセルで示し,その高抵抗から利益を得る。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  *薄膜 ,  非晶質 ,  *多層 ,  結晶 ,  電力 ,  *多層膜 ,  シート抵抗 ,  *熱安定性 ,  *相転移
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  閾値電流 ,  *相変化メモリ ,  *データリテンション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Sb_7Te_3/ZnSb ,  薄膜 ,  相変化 ,  多層

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱安定性 ,  データ保持 ,  相変化メモリ ,  多層薄膜