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J-GLOBAL ID：201702236744782675   整理番号：17A0312195

Pドープけい素リッチけい素nitride/c Siヘテロ接合素子における電子輸送機構に及ぼすSiナノ粒子の影響【Powered by NICT】

Effect of Si nanoparticles on electronic transport mechanisms in P-doped silicon-rich silicon nitride/c-Si heterojunction devices

著者 (9件)： Ma Deng-Hao (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Zhang Wei-Jia (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Luo Rui-Ying (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Jiang Zhao-Yi (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Qiang-Ma (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Ma Xiao-Bo (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Fan Zhi-Qiang (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Song Deng-Yuan (Yingli Solar, 3399 Chaoyang North Street, Baoding, China) ,  Zhang Lei (Yingli Solar, 3399 Chaoyang North Street, Baoding, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 50  ページ： 20-30  発行年： 2016年08月01日 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温でp型結晶Si基板上のSiナノ粒子を埋め込んだPドープシリコンリッチSiN_xからヘテロ接合(H J)デバイスの作製に成功した。高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)分析は,薄膜がナノ結晶を含むことを示した。H-J素子は室温で良好な整流比を示した。温度依存電流-電圧特性曲線の三つの明確な領域が同定されたが,種々の電流密度変化を指摘した。低電圧範囲で,H-Jの界面を横切る電流はオーミック挙動に従った。電圧の中間領域では,電流輸送機構は,HJデバイスのシリコンナノ粒子サイズと界面に起因する支配的トンネリングへのりん拡散の遷移を示したが,空間電荷制限電流(SCLC)は高電圧領域での伝導機構を支配し,トラップ状態の密度は,電子輸送進行に影響する。最後に,シリコンナノ粒子の適切なサイズはH-Jの界面電荷密度,数値的なC-V整合法により確認されたを減少させることができ,著者らはシリコンナノ粒子を埋め込んだHJデバイスへの当てはめのための新しいエネルギーバンド図を提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  ナノ結晶 ,  *ナノ粒子 ,  *ヘテロ接合 ,  界面 ,  トンネル効果 ,  特性曲線 ,  温度依存性 ,  空間電荷制限電流 ,  電流密度 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  シリコンナノ粒子 ,  HRTEM ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 輸送機構 ,  シリコンリッチ窒化けい素 ,  ヘテロ接合素子

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  けい素 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  電子輸送 ,  ナノ粒子