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J-GLOBAL ID:201702236802750393   整理番号:17A0357656

高出力2ΜM アンチモンドープ量子井戸レーザを用いた。【JST・京大機械翻訳】

High-power,high-efficient GaSb-based quantum well laser diodes emitting at 2 μm
著者 (9件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 672-675  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0174C  ISSN: 1001-9014  CODEN: HHXUEZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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2ΜM GASBベースのALGAASSB// I型量子井戸レーザをMBEシステムにより成長させ,20°Cで動作させた場合に,最大連続出力パワーは1に達した。1058W,注入電流は0であった。5Aの場合,ピーク波長は1であった。977ΜMの最大エネルギー変換効率は20であった。2%のパルス周波数,1000HZのパルス周波数,および5%のデューティサイクルを有するパルスモードの下で,最大出力パワーは2であった。278W。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
分類 (3件):
分類
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電鋳  ,  固体の機械的性質一般  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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