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J-GLOBAL ID：201702236835414864   整理番号：17A0537849

先端バルクCMOS技術デバイスにおけるNMOS寄生トランジスタへの全電離線量放射線効果【Powered by NICT】

Total ionizing dose radiation effects on NMOS parasitic transistors in advanced bulk CMOS technology devices

著者 (4件)： He Baoping (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Wang Zujun (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Sheng Jiangkun (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Huang Shaoyan (Northwest Institute of Nuclear Technology)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 12  ページ： 49-54  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,最新のCMOS技術のNMOSトランジスタの全イオン化線量効果を調べた。放射線試験は50rad(Si)/sの線量率で(60)Co源で行った。調査の結果は,ゲート酸化物中の放射線誘起電荷ビルドアップは無視でき,フィールド酸化物分離構造は主総線量問題であることを示した。フィールド酸化物寄生トランジスタの全イオン化線量(TID)照射効果を詳細に研究した。フィールド酸化膜におけるT ID損傷によって誘起された放射線欠陥電荷の解析モデルを確立した。異なる用量でNMOS寄生トランジスタのI-V特性は表面電位法を用いてモデル化した。モデリング法は,異なる用量でのTID放射線により誘起された180nmの市販のNMOS素子の実験的I-V特性により検証した。モデルの結果は,放射実験結果,解析モデルは先進バルクCMOS技術デバイスの放射線応答特性を正確に予測できることを示しと良く一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線量率 ,  *NMOS構造 ,  モデリング ,  解析モデル ,  *トランジスタ ,  応答特性 ,  電流電圧特性 ,  電荷 ,  *放射線量 ,  *放射線 ,  表面電位 ,  酸化物 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 照射欠陥 ,  *CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 全電離線量(TID) ,  バルクCMOS ,  シャロートレンチアイソレーション(STI) ,  酸化物に捕獲された電荷 ,  界面トラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： バルク ,  CMOS技術 ,  NMOS ,  寄生 ,  トランジスタ ,  全電離 ,  線量 ,  放射線効果