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J-GLOBAL ID：201702236876672786   整理番号：17A0453254

プラズマ反応物としてNH_3を用いたプラズマ増強原子層堆積により形成したCo薄膜の成長機構【Powered by NICT】

Growth mechanism of Co thin films formed by plasma-enhanced atomic layer deposition using NH₃ as plasma reactant

著者 (3件)： Oh Il-Kwon (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, South Korea) ,  Kim Hyungjun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, South Korea) ,  Lee Han-Bo-Ram (Department of Material Science Engineering, Incheon National University, Incheon 406-772, South Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 3  ページ： 333-338  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 対反応物としてNH_3プラズマを用いたプラズマ増強原子層堆積(PE ALD)によるCo薄膜の生成の反応機構を検討した。PE-ALD Co中の表面反応を研究するために,プロセスは二つの半反応に分割し,これらの反応を,ex situ X線光電子分光法(XPS)及びin situ残留ガス分析器(RGA)を用いてモニターした。コバルトセン(ビス(シクロペンタジエンイル)-コバルト(II),CoCp_2)前駆体をNH_3プラズマ曝露により形成されたN終端表面と反応し,N含有副産物をCo-Co結合の形成とCp配位子の放出をもたらした。NH_3プラズマ種はCoCpサイトに吸着し,Cpの解離を促進した。表面上のN原子はCoCp_2と表面との間の逐次吸着と脱着反応中のCo薄膜の蒸着のための重要な媒体である。この結果は,PE-ALDを含む複雑な化学反応への洞察を提供し,他のPE-ALDプロセスに拡張することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 化学反応 ,  ガス分析計 ,  *薄膜 ,  プラズマ曝露 ,  表面反応 ,  *プラズマ化学反応 ,  残留ガス ,  脱着 ,  *プラズマ ,  光電子分光法 ,  反応機構
準シソーラス用語： コバルト(II) ,  コバルトセン ,  *反応物 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Co PE-ALD ,  残留ガス分析 ,  反応機構 ,  コバルトセン ,  NH_3プラズマ

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ反応 ,  プラズマ ,  増強 ,  原子層堆積 ,  CO ,  薄膜 ,  成長