文献

J-GLOBAL ID：201702237107973093   整理番号：17A0400456

n型半導体CuIn_3Se_5における可変領域ホッピング伝導と磁気抵抗効果【Powered by NICT】

Variable range hopping and positive magnetoresistance in n type semiconductor CuIn₃Se₅

著者 (4件)： Wasim S.M. (Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Merida 5101, Venezuela) ,  Essaleh L. (Laboratory of Condensed Matter and Nanostructures (LMCN), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Technology, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco) ,  Marin G. (Laboratorio de Estructura e Ingenieria de Materiales Nanoestructurados (LEIMN), Centro de Investigacion y Tecnologia de Materiales (CITeMa), Instituto Venezolano de Investigaciones Cientificas (IVIC), Maracaibo 4011, Venezuela) ,  Galibert J. (Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, UPR3228 CNRS/INSA/UJF/UPS, Toulouse & Grenoble, France)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 87  ページ： 219-223  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mott型の可変領域ホッピング機構を秩序化欠陥化合物n CuIn_3Se_5における10Kと65Kの間で二種類の温度範囲で初めて観測された。55Kまでのいくつかの温度でなされた27Tまでの正の磁気抵抗の磁場依存性の解析は,低と高電場領域におけるB~2とB~1/3挙動を示した。これは軽くドープした半導体におけるホッピング伝導に対するShklovskii-Efrosの理論と良く一致した。局在温度T_oと局在長ξの磁場依存性を検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ホッピング伝導 ,  *磁気抵抗効果 ,  ドーピング ,  *半導体 ,  *磁気抵抗
準シソーラス用語： 局在長 ,  高電場 ,  磁場依存性 ,  温度範囲 ,  *可変領域ホッピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： A半導体 ,  A電子材料 ,  B半導性 ,  C.X線回折 ,  D.電気的性質 ,  D欠陥 ,  D.電子構造

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： N型半導体 ,  可変領域ホッピング伝導 ,  磁気抵抗効果